SIC涂层MOCVD外延片石墨托盘
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更新时间：2020-09-17 15:42:33 信息编号：5c1prfsmcc365a

价格：
面议
原产地：
辽宁
产地：
北京
关键词：
石墨托盘,碳化硅石墨托盘

肖先生

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详情介绍

SIC涂层MOCVD外延片石墨托盘

产品别名	石墨托盘,承载盘,预热环,顶针	面向地区	北京	原产地	辽宁
产地	北京	用途	电子	水分含量	其它
固定碳含量	其它	执行质量标准	国标	形态	其它
保质期	18个月	颜色	银灰色	密度	0.77g/cm3

我公司拥有多名日本、博士工程师及经营管理团队，拥有从事碳化硅涂层以及对石墨产品进行高温纯化除杂技术。公司产品及技术广泛应用于半导体行业，LED行业，航天行业，化工行业，光伏行业，包装行业，耐腐蚀行业、冶金行业等领域。

公司通过引进国外的CVD法碳化硅涂层及高温纯化装置与技术，根据客户需要为不同形状，不同结构和大小的石墨件纯化除杂，纯化后的石墨杂质可降至小于5PPM,并采用高温化学气相沉积法沉积厚度的碳化硅涂层。

相比以往的工艺，CVD法生产的碳化硅晶体结构致密，晶格排列整齐，与沉底材料结合更紧密等优势。具有耐高温，耐磨损，耐腐蚀，易导热的特点，凭借这些涂层，我们的产品被广泛应用于制作流化床和热氢化的反应器部件，CZ直拉单晶炉的导流筒部件，以及硅外延和GaN外延的托盘。

产品指标：
材料：进口等静压高纯石墨
纯度：小于5ppm
SIC涂层厚度：120µm±30µm(涂层厚度可根据客户要求定制)
涂层表面粗糙度：6-8µm
涂层后基座电阻率：0.0004-0.00045Microhm-m
高均匀度和的热传导性
耐电浆轰击
均温性
高耐腐蚀性和稳定性
理想的电阻特性
使用寿命长

应用领域：
LED芯片产业MOCVD外延片承载石墨托盘
ICP蚀刻制程用之承载盘
硅外延及GaN外延等各Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体半导体材料外延托盘

合能阳光
提供各种规格碳化硅涂层石墨制品：承载盘，预热环，筛盘，顶针等相关制品
可接受根据图纸定制加工业务
质量稳定，交货期短
主要客户：
国内半导体芯片企业、LED光电企业等

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